[特種氣體]：“雙碳”目標下三代半導體的發(fā)展分析
2022-01-21 15:49
來源：隆眾資訊
作者：牟星子
- 手機看文章
- 資訊監(jiān)督
- 打印
- 評論
摘 要：第三代半導體是以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻率、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、高導熱等優(yōu)越性能，是新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉型升級的重點核心材料。通過大力發(fā)展第三代半導體，尤其是目前大量應用的碳化硅和氮化鎵，以及探索新一代半導體材料，對支撐碳達峰、碳中和意義重大。0 引言在“雙碳”目標的實現(xiàn)過程中，我…
資訊編輯：牟星子
資訊監(jiān)督：徐婷 0535-5133785
資訊投訴：李倩 0533-7026993
免責聲明：Mysteel發(fā)布的原創(chuàng)及轉載內(nèi)容，僅供客戶參考，不作為決策建議。原創(chuàng)內(nèi)容版權歸Mysteel所有，轉載需取得Mysteel書面授權，且Mysteel保留對任何侵權行為和有悖原創(chuàng)內(nèi)容原意的引用行為進行追究的權利。轉載內(nèi)容來源于網(wǎng)絡，目的在于傳遞更多信息，方便學習與交流，并不代表Mysteel贊同其觀點及對其真實性、完整性負責。